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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron irradiation-induced defects and photoelectric properties of Te-doped GaSb 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 132, 期号: 9, 页码: 26-30 作者:  Wang, DK (Wang, Dengkui)[ 1 ];  Chen, BK (Chen, Bingkun)[ 1 ];  Wei, ZP (Wei, Zhipeng)[ 1 ];  Fang, X (Fang, Xuan)[ 1 ];  Tang, JL (Tang, Jilong)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/07/23 GaSb  Electron irradiation  Photoluminescence  Defects   An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 181-184 作者:  Ma, T (Ma, Teng);  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dan-Dan) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/12/14 Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7 作者:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/12/12 total ionizing dose effects  deep sub-micron  metal oxide semiconductor field effect transistor  static random access memory   Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/12 silicon-on-insulator  ionizing radiation  hot carriers