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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.699, 页码: 415-420 作者:  Li,W. D.;  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Wang,P. H. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILM TRANSISTORS  HIGH-PERFORMANCE  LOW-TEMPERATURE  HYBRID FILMS  FABRICATION  DEPOSITION  CONSTANT  OXIDES  STACK  HFO2   Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.691, 页码: 504-513 作者:  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Zheng,C. Y.;  Chen,X. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 PULSED-LASER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  BAND ALIGNMENT  DIELECTRICS  SILICON  OXIDE  HFO2  SUBSTRATE  BARRIER  MEMORY   Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: Vol.43 No.3, 页码: 3101-3106 作者:  Li,W. D.;  Jin,P.;  Zhang,M.;  Xiao,D. Q.;  Fang,Z. B. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  HFO2 FILMS  MICROSTRUCTURE  EVAPORATION  NITRIDATION  DEPOSITION   Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.688 Part B, 页码: 252-259 作者:  Lv,J. G.;  Li,W. D.;  Jin,P.;  Liu,Y. M.;  Zhang,M. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 OXIDE THIN-FILMS  MOS CAPACITORS  SI  DEPENDENCE  DEPOSITION  STACKS  PLASMA  CHARGE   Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: Vol.688, 页码: 925-932 作者:  Jin,P.;  Zhang,M.;  Xiao,D. Q.;  Chen,X. S.;  Wang,P. H. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/22 HFO2 THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  STACKS  MICROSTRUCTURE  DEPENDENCE  TI   Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: Vol.42 No.10, 页码: 11640-11649 作者:  Lv,J. G.;  Li,W. D.;  Jin,P.;  Liu,Y. M.;  Xiao,D. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 ANNEALING TEMPERATURE  PHYSICAL-PROPERTIES  BAND ALIGNMENT  HFO2  MODULATION  CAPACITORS  STACKS  TIO2   Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: Vol.679, 页码: 115-121 作者:  Chen,X. F.;  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Zhang,J. W.;  Xiao,D. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 THIN-FILM TRANSISTORS  TEMPERATURE  DEPOSITION  LAYER  STACK