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半导体研究所 [23]
内容类型
期刊论文 [23]
发表日期
2011 [2]
2010 [4]
2009 [3]
2007 [1]
2006 [4]
2003 [2]
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专题:半导体研究所
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Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689
作者:
Li, Y. Q.
;
Wang, X. D.
;
Xu, X. N.
;
Liu, W.
;
Yang, F. H.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Modulation-doped
Field-effect transistors
Output characteristics
Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 100301
Wang, LG
;
Shen, C
;
Zheng, HZ
;
Zhu, H
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
charged acceptor centre
screening effect
exchange interaction
SHALLOW ACCEPTOR STATES
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Evaluation of both composition and strain distributions in ingan epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 7
作者:
Guo Xi
;
Wang Hui
;
Jiang De-Sheng
;
Wang Yu-Tian
;
Zhao De-Gang
收藏
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ingan
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
Reciprocal space mapping
Biaxial strain
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202
Misuraca J (Misuraca Jennifer)
;
Trbovic J (Trbovic Jelena)
;
Lu J (Lu Jun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ohno Y (Ohno Yuzo)
;
Ohno H (Ohno Hideo)
;
Xiong P (Xiong Peng)
;
von Molnar S (von Molnar Stephan)
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/10/11
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
DX CENTERS
ALXGA1-XAS
GAAS
SEMICONDUCTORS
Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505
作者:
Chen L
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/07/05
MN
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
ELECTRONICS
(GA,MN)AS
GAAS
Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802
Guo X (Guo Xi)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/02
InGaN
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
reciprocal space mapping
biaxial strain
CRITICAL LAYER THICKNESS
OPTICAL-PROPERTIES
LATTICE-CONSTANTS
GAN
HETEROSTRUCTURES
ALLOYS
WELLS
Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643
Cheng BC
;
Tian BX
;
Sun W
;
Xiao YH
;
Lei SJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:92/0
  |  
提交时间:2010/03/08
DOPED ZNO
QUANTUM DOTS
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
OXIDES
NANOSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
RECOMBINATION
NANOPARTICLES
NANOCRYSTALS
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
收藏
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浏览/下载:87/2
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Anomalous-circular photogalvanic effect in a GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2009, 卷号: 21, 期号: 37, 页码: art. no. 375802
Tang CG
;
Chen YH
;
Liu Y
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:71/7
  |  
提交时间:2010/03/08
SPIN
SEMICONDUCTORS
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:64/5
  |  
提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
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