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半导体研究所 [109]
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期刊论文 [108]
会议论文 [1]
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Barrier tunneling of the loop-nodal semimetal in the hyperhoneycomb lattice
期刊论文
Journal of physics: condensed matter, 2018, 卷号: 30, 期号: 18
作者:
Guan,Ji-Huan
;
Zhang,Yan-Yang
;
Lu,Wei-Er
;
Xia,Yang
;
Li,Shu-Shen
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浏览/下载:310/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum tunneling
Loop-nodal semimetal
Dirac equation
High capacity hydrogen storage in ca decorated graphyne: a first-principles study
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 46, 页码: 23221-23225
作者:
Li, Chong
;
Li, Jingbo
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Adsorption and diffusion of h2o molecule on the be(0001) surface: a density-functional theory study
期刊论文
Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 36, 页码: 3208-3212
作者:
Wang, Shuang-Xi
;
Zhang, Peng
;
Zhao, Jian
;
Li, Shu-Shen
;
Zhang, Ping
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
First-principles calculation
Adsorption
Diffusion
Dissociation
Mgo-decorated carbon nanotubes for co2 adsorption: first principles calculations
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Feng, Zhu
;
Shan, Dong
;
Gang, Cheng
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Carbon nanotube
Co2 adsorption
First principles calculations
Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Ab initio calculations
Defects
Electronic structure
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Formation of shallow acceptors in ZnO doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/06/14
Activation energy
Binding energy
Calculations
Complexation
Doping(additives)
Electronic structure
Zinc
Zinc oxide
Donor-donor binding in in2o3: engineering shallow donor levels
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: 5
作者:
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
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