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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2006 [2]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
光电子学 [2]
半导体材料 [1]
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Experimental investigation on submicron rib waveguide microring/racetrack resonators in silicon-on-insulator
期刊论文
optics communications, 2009, 卷号: 282, 期号: 1, 页码: 22-26
Huang, QZ
;
Yu, YD
;
Yu, JZ
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/08
Resonators
Submicron rib waveguides
Silicon-on-insulator
Polarization
The electronic structure of strained ZnO/MgxZn1-xO superlattices and the influence of polarization
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 506-512
Xiong W
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:167/41
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提交时间:2010/03/08
ZnO
ZnO/MgxZn1-xO superlattice
Electronic structure
Polarization
Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
AlGaN/AlN/GaN
two-dimensional electron gas
MOCVD
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
POLARIZATION
TRANSISTORS
GANHEMTS
GAS
Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
收藏
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-DOT SUPERLATTICES
VICINAL GAAS(001)
GAAS
WIRES
POLARIZATION
GROWTH
WELLS
TEMPERATURE
MECHANISM
The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38
作者:
Han PD
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
excitation transfer mechanism
GAN
InGaN
MOCVD
INGAN SINGLE
EMISSION
POLARIZATION
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
AlGaN/GaN superlattices
resistivity
hole concentration
POLARIZATION
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