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Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文
作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇)
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/09
用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元 专利
专利号: US9508776, 申请日期: 2016-12-29, 公开日期: 2014-09-18
作者:  刘琦;  刘明;  龙世兵;  吕杭炳;  王艳
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2017/06/09
Device physics towards high performance GaN-based power electronics 期刊论文
SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2016
作者:  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/08
Theoretical Modification of the Negative Miller Capacitance during the Switching Transients of IGBTs 期刊论文
半导体学报, 2016
作者:  Han ZS(韩郑生);  Teng Y(腾渊)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/11
Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016
作者:  Wang XH(王鑫华)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08
Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures 期刊论文
Physics Status Solidi A, 2015
作者:  Wang XH(王鑫华);  Gao Z(高竹);  Bao QL(包琦龙);  Liu XY(刘新宇);  Ma XH(马晓华)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/26
Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Liu GG(刘果果);  Yuan TT(袁婷婷)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26
A power reduction technique for wideband common gate low noise amplifers 会议论文
作者:  Fan XH(樊晓华);  Wang MH(王明华);  Zhang ML(张明磊);  Liu Y(刘昱)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/05/07
Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文
作者:  Li CL(李春龙);  Li JJ(李俊杰);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/05/07
A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process 期刊论文
Chinese Physcs B, 2013
作者:  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/10/30

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