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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects 期刊论文 Advanced Materials, 2018 作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Zhang XM(张续猛) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/10 Conning Cation Injection to Enhance CBRAM Performance by Nanopore Graphene Layer 期刊论文 small, 2017 作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/12 Analysis of the Negative-SET Behaviors in Cu/ZrO2/Pt Devices 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2016 作者:  Liu S(刘森) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/11 Highly improved resistive switching performances of the self-doped Pt-HfO2Cu-Cu devices by atomic layer deposition 期刊论文 Science China Physics, Mechanics & Astronomy, 2016 作者:  Liu S(刘森);  Wang W(王伟);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/11 Eliminating Negative-SET Behavior by Suppressing Nanofilament Overgrowth in Cation-Based Memory 期刊论文 Advanced Materials, 2016 作者:  Liu S(刘森);  Lu ND(卢年端);  Zhao XL(赵晓龙);  Writam Banerjee;  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/11