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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  文林 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2015/06/15 电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元   Transverse Ising model with multi-impurity 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2015, 卷号: 381, 页码: 372-376 作者:  Huang, XC (Huang, Xuchu);  Yang, ZH (Yang, Zhihua) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/09/15 Exact solution  Impurity effect  Thermodynamic property   Quantum entanglement investigation on impurity effects in the transverse Ising chain 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2015, 卷号: 462, 页码: 25-29 作者:  Huang, XC (Huang, Xuchu);  Si, TY (Si, Tieyan);  Yang, ZH (Yang, Zhihua) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/09/15 Impurity effect  Quantum entanglement  Correlation function  Concurrence