QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, XL; Wang, CM; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：154/51  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  BULK GAN  OPTIMIZATION  LAYERS  HEMTS   Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001 Sun XL; Yang H; Zhu JJ; Wang YT; Chen Y; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GALLIUM NITRIDE  LUMINESCENCE  BULK