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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [13]
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2011 [2]
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2007 [2]
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学科主题
微电子学 [15]
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学科主题:微电子学
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AgAu core-shell dendrites:a stable,reusable and sensitive surface enhanced Raman scattering substrate
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14502
Hong Jun Yin
;
Zhao Yang Chen
;
Yong Mei Zhao
;
Ming Yang Lv
;
Chun An Shi
;
Zheng Long Wu
;
Xin Zhang
;
Luo Liu
;
Ming Li Wang
;
Hai Jun Xu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/04/08
The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: 122106
Liu, SB
;
He, Z
;
Zheng, L
;
Liu, B
;
Zhang, F
;
Dong, L
;
Tian, LX
;
Shen, ZW
;
Wang, JZ
;
Huang, YJ
;
Fan, ZC
;
Liu, XF
;
Yan, GG
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Sun, GS
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
Stability of Mechanical Properties for Submicrometer Single-Crystal Silicon Cantilever Under Cyclic Load
期刊论文
journal of microelectromechanical systems, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 178-183
Zhu YF
;
Zhang FX
;
Yang JL
;
Zheng HY
;
Yang FH
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浏览/下载:52/8
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提交时间:2011/07/06
Cyclic
mechanical property
resonant frequency
stability
submicrometer-thick cantilever
ENERGY-DISSIPATION
STRUCTURAL FILMS
THIN-FILMS
FATIGUE
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/08/16
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106
Tang HM (Tang Hai-Ma)
;
Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang EX (Zhang En-Xia)
;
Yu F (Yu Fang)
;
Li N (Li Ning)
;
Wang NJ (Wang Ning-Juan)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/11/02
silicon-on-insulator wafers
radiation hardness
nitrogen implantation
Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
SIMOX
Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET
期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
作者:
YU Fang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
SOIPMOSFET
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