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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:134/15
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo simulation
Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:127/16
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提交时间:2010/03/29
QUANTUM DOTS
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
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