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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles study of transition metal impurities in Si 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201 Zhang ZZ; Partoens B; Chang K; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08 SILICON   Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 Yang, J (Yang Jun); Zhao, YW (Zhao You-Wen); Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan); Deng, AH (Deng Ai-Hong); Miao, SS (Miao Shan-Shan); Wang, B (Wang Bo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 InP   Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文 17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：220/68  |  提交时间：2010/03/29 ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS  STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  DEEP-LEVEL DEFECTS  ANNEALING AMBIENT  POINT-DEFECTS  FE  PHOSPHIDE  DONORS   Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS