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科研机构
半导体研究所 [6]
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会议论文 [1]
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2005 [1]
2003 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1996 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 575-581
Li JM
;
Han X
;
Wu JJ
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/17
quantum wells
Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M
;
Huang YS
;
Pollak FH
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HEXAGONAL GAN
TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
TRANSITIONS
GROWTH
GAIN
ALN
ELLIPSOMETRY
WURTZITE
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
photoluminescence
band offset
band bowing coefficient
localized exciton
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
TEMPERATURE
GAASN
Electronic structures of GaAs/AlAs lateral superlattices
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 28, 页码: 6311-6319
Li SS
;
Zhu BF
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
EFFECTIVE-MASS THEORY
QUANTUM WIRES
OPTICAL ANISOTROPY
GAS
DEPOSITION
EXCITONS
GROWTH
STATES
WELLS
ALAS
Electronic, structural, and optical properties of crystalline yttria
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 23, 页码: 14993-15000
Xu YN
;
Gu ZQ
;
Ching WY
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
POINT-DEFECTS
OXIDE
Y2O3
ALPHA-AL2O3
NITRIDE
Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/11/17
MULTIPLE QUANTUM-WELLS
HYDROSTATIC-PRESSURE
DEFORMATION POTENTIALS
EXCITON ABSORPTION
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
GAAS
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