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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2002 [2]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture
期刊论文
physical review b, 2007, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: art.no.125404
Ding F (Ding Fei)
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
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浏览/下载:78/8
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152
Lu DC
;
Duan SK
收藏
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浏览/下载:99/7
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
molecular vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting quaternary alloys
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUATERNARY ALLOYS
PHASE EPITAXY
GAN
ALINGAN
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Hou X
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
GSMBE
InGaAs/InP
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
MULTILAYERS
DEFECTS
DISLOCATIONS
MODULATION
LASERS
SHIFT
SIMULATION OF LATERAL CONFINEMENT IN VERY NARROW CHANNELS
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 49, 期号: 24, 页码: 17452-17455
DU QH
;
WANG ZG
;
MAO JM
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/15
ONE-DIMENSIONAL CONDUCTION
PARABOLIC QUANTUM-WELL
2D ELECTRON-GAS
MAGNETIC DEPOPULATION
MAGNETOOPTICAL ABSORPTION
SUBBANDS
WIRES
HETEROSTRUCTURES
HETEROJUNCTION
STATES
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