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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The structure, morphology and Raman scattering study on Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212 Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：92/1  |  提交时间：2010/03/08 Ion implantation  Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)  Diluted magnetic semiconductor (DMS)  Nonpolar a-plane GaN   Enhancement of field emission properties in La-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2657-2660 Li, J; Wang, RZ; Lan, W; Zhang, XW; Duan, ZQ; Wang, B; Yan, H 收藏  |  浏览/下载：53/2  |  提交时间：2010/03/08 CVD DIAMOND FILMS  WORK FUNCTION  PHOTOCATALYTIC ACTIVITY  AQUEOUS SUSPENSION  THIN-FILMS  DEGRADATION  MICROSCOPY   Influence of the growth temperature of the high-temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 4-11 作者:  Li DB;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：61/21  |  提交时间：2010/03/09 substrates   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD