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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Direct Observation of Inhomogeneous Solid Electrolyte Interphase on MnO Anode with Atomic Force Microscopy and Spectroscopy 期刊论文 nano letters, 2012, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2153-2157 Zhang, J; Wang, R; Yang, XC; Lu, W; Wu, XD; Wang, XP; Li, H; Chen, LW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/03/19 Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 会议论文 6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007 Wu, BP; Wu, DH; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/09 InAs Quantum Dots   Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文 chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：120/25  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-DOTS  TRANSITION  GAAS(100)  GROWTH  GAAS   Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：211/56  |  提交时间：2010/03/08 InAs Quantum Dots  Metamorphic Buffer  Molecular Beam Epitaxy   Structural, morphological, and magnetic characteristics of Cu-implanted nonpolar GaN films 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 256, 期号: 5, 页码: 1361-1364 Sun, LL (Sun, Lili); Yan, FW (Yan, Fawang); Zhang, HX (Zhang, Huixiao); Wang, JX (Wang, Junxi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Wang, GH (Wang, Guohong); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：160/36  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  ISLANDS  INP(001)  INGAAS