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Experimental methods of nuclear spectroscopic study at RIBLL 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2000, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 108-112
作者:  Pan, QY;  Zhou, XH;  Zhang, YH;  Guo, YX;  Xu, YB
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29
Pure mechanical wear loss measurement in corrosive wear 期刊论文
BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, 2000, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 539-542
作者:  Huang, YL;  Jiang, XX;  Li, SZ
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/12/21
The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12
Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
为新世纪建言 期刊论文
党的建设, 2000, 期号: 12, 页码: 25-27
作者:  王文学;  何易;  张以湘;  李志强;  邵建平
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2014/11/12
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/02/02
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/02/02
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02

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