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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388 S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/22