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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of thermoelectric performance in InAs nanotubes by tuning quantum confinement effect 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 12 作者:  Zhou, Wu-Xing;  Tan, Shihua;  Chen, Ke-Qiu;  Hu, Wenping 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09 A platform for in-situ multi-probe electronic measurements and modification of nanodevices inside a transmission electron microscope 期刊论文 nanotechnology, 2014 Xu, T. T.; Ning, Z. Y.; Shi, T. W.; Fu, M. Q.; Wang, J. Y.; Chen, Q. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 in-situ TEM  nanodevice  structure characterization  electronic measurement  nanomanipulation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CARBON NANOTUBE  ELECTROCHEMICAL LITHIATION  MECHANICAL-PROPERTIES  NANOWIRES  FABRICATION  GRAPHENE  EMISSION  CONTACTS  TEM   Electrical characteristics of field-effect transistors based on indium arsenide nanowire thinner than 10nm 期刊论文 应用物理学快报, 2014 Fu, Mengqi; Pan, Dong; Yang, Yingjun; Shi, Tuanwei; Zhang, Zhiyong; Zhao, Jianhua; Xu, H. Q.; Chen, Qing 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 INAS NANOWIRES  SEMICONDUCTOR  PERFORMANCE  DIAMETER  MOSFETS   Suspended InAsnanowire gate-all-around field-effect transistors 期刊论文 应用物理学快报, 2014 Li, Qiang; Huang, Shaoyun; Pan, Dong; Wang, Jingyun; Zhao, Jianhua; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 INAS NANOWIRE MOSFETS  ELECTRON-MOBILITY  QUANTUM DOTS  WRAP-GATE  PERFORMANCE  DIAMETER   Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si(111) by Diminishing the Diameter to 10 nm 期刊论文 nano letters, 2014 Pan, Dong; Fu, Mengqi; Yu, Xuezhe; Wang, Xiaolei; Zhu, Lijun; Nie, Shuaihua; Wang, Siliang; Chen, Qing; Xiong, Peng; von Molnar, Stephan; Zhao, Jianhua 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/11 InAs nanowires  pure phase  molecular-beam epitaxy  InAs nanowire-based FET  III-V NANOWIRES  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STACKING-FAULTS  ZINC-BLENDE  ELECTRON TRANSMISSION  GAAS NANOWIRES  GROWTH  MOBILITY  MOVPE  INP   Charge transport in InAs nanowire Josephson junctions 期刊论文 physical review b, 2014 Abay, Simon; Persson, Daniel; Nilsson, Henrik; Wu, Fan; Xu, H. Q.; Fogelstrom, Mikael; Shumeiko, Vitaly; Delsing, Per 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 SUPERCONDUCTING QUANTUM POINT  INSB NANOWIRE  QUANTIZED CONDUCTANCE  MAJORANA FERMIONS  GAP STRUCTURE  SUPERCURRENT  DEVICES  ELECTRONICS  TRANSITION  CONTACTS   Single InAs Nanowire Room-Temperature Near-Infrared Photodetectors 期刊论文 ACS NANO, 2014, 卷号: 8, 期号: 4 作者:  Miao, Jinshui;  Hu, Weida;  Guo, Nan;  Lu, Zhenyu;  Zou, Xuming 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 InAs nanowire  infrared photodetectors  half-wrapped top-gate  photoresponsivity  surface defect states   Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: 26, 期号: 48 作者:  Guo, Nan;  Hu, Weida;  Liao, Lei;  Yip, SenPo;  Ho, Johnny C. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量? 期刊论文 物理学报, 2014, 卷号: 63, 页码: 248105-1-248105-7 作者:  Zhang Chao;  Fang Liang;  Sui Bing-Cai;  Xu Qiang;  Wang Hui 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06 低温电子束刻蚀 原位透射电子显微镜电学测量 InAs纳米线 库仑阻塞效应 low temperature electron beam lithography in-situ transmission electron microscope electrical measurements InAs nanowire Coulomb blockade effect