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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Onset of surface segregation controlled by the segment length of the low-energy component of polymers 期刊论文 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2006, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 1223-1229 作者:  Lau, Yiu-Ting R.;  Zhou, Hui;  Chan, Chi-Ming;  Weng, Lu-Tao;  Li, Lin 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09 Xps  Tof-sims  Block Length  Chain Dimension  Perfluorinated Hydrocarbon  Fluorinated Segment  Surface Segregation  Copolymer   Study on mg memory effect in npn type algan/gan hbt structures grown by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mg memory effect  Redistribution  Algan/gan hbts  Mocvd   New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature-insensitive bandgap 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2006, 卷号: 243, 期号: 7, 页码: 1421-1425 作者:  Yoshimoto, M;  Huang, W;  Feng, G;  Oe, K 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/09 Crystallization-driven migration of the low surface energy segment of a copolymer to the bulk 期刊论文 POLYMER, 2006, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 3164-3170 作者:  Cheung, ZL;  Ng, KM;  Weng, LT;  Chan, CM;  Li, L 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/09 Crystallization  Copolymer  Surface Segregation   Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 585-587 Zhang EX; Sun JY; Chen J; Chen M; Zhang ZX; Li N; Zhang GQ; Wang X 收藏  |  浏览/下载：285/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrogen  ion implantation  SIMOX  implantation energy  C-V measurement  CHARGE  OXYGEN  OXIDES  LAYERS   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Ran, JX; Wang, XL; Hu, GX; Li, JP; Wang, JX; Wang, CM; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：167/71  |  提交时间：2010/03/29 ALN  IMPURITIES  DONOR   Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials 会议论文 14th international conference on ion beam modification of materials (ibmm 2004), pacific grove, ca, sep 05-10, 2004 Zhang EX; Sun JY; Chen J; Chen M; Zhang ZX; Li N; Zhang GQ; Wang X 收藏  |  浏览/下载：215/45  |  提交时间：2010/03/29 nitrogen