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内容类型
期刊论文 [10]
专利 [1]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [12]
学科主题
力学 [2]
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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共12条,第1-10条
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发表日期:2001
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Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates
专利
专利号: US20010042503A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:
LO, YU-HWA
;
EJECKMAN, FELIX
;
ZHU, ZUHUA
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/30
Microstructural stability and creep behavior of nickel base superalloy U720Li
期刊论文
ACTA METALLURGICA SINICA, 2001, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1159-1164
作者:
Xiao, X
;
Zhou, LZ
;
Guo, JT
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/02/02
nickel base superalloy
thermal stability
creep
X-ray diffraction analysis on gallium-indium interdiffusion in quantum dot superlattices
期刊论文
Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 810-812
作者:
Wang, H
;
Xu, SJ
;
Li, Q
;
Feng, SL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
The healing of quenched crack in 1045 steel under electropulsing
期刊论文
Journal of Materials Research, 2001, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 17-19
Y. Z. Zhou
;
Y. Zeng
;
G. H. He
;
B. L. Zhou
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/14
transient
Numerical Prediction of Fluid Flow and Heat Transfer in a Wavy Pipe
期刊论文
JOURNAL OF THERMAL SCIENCE, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 133138
作者:
Shohel Mahmud
;
A.K.M. Sadrul Islam
;
Prodip Kumar Das
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/12
Nusselt Number
Separation Bubble
Surface Waviness
Wall Vorticity
MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制
期刊论文
半导体学报, 2001
王子欧
;
卫建林
;
毛凌锋
;
许铭真
;
谭长华
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
应力感应漏电
栅氧化层
SILC mechanism in degraded gate oxide with different thickness
期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001
Wang, Zi-Ou
;
Wei, Jian-Lin
;
Mao, Ling-Feng
;
Xu, Ming-Zhen
;
Tan, Chang-Hua
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/17
Thermal fracture characteristics induced by laser beam
期刊论文
International Journal of Solids and Structures, 2001, 卷号: 38, 期号: 32-33, 页码: 5647-5660
作者:
Zhou YC(周益春)
;
Zhu ZM
;
Duan ZP(段祝平)
收藏
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浏览/下载:473/21
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提交时间:2007/06/15
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:99/8
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提交时间:2010/08/12
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
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