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光诱导纳米二氧化钛超亲水薄膜SPM图像分析和氧空位浓度理论探讨 期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9220.shtml, 2001
曾人杰; 林仲华; 方智敏; ZENG Ren_jie; LIN Zhong_hua; FANG Zhi_min
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/11/18
Defect states in cubic gan epilayer grown on gaas by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685
作者:  Xu, SJ;  Or, CT;  Li, Q;  Zheng, LX;  Xie, MH
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12
Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates 专利
专利号: US20010042503A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:  LO, YU-HWA;  EJECKMAN, FELIX;  ZHU, ZUHUA
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30
Tracks of swift heavy ions in graphite studied by scanning tunneling microscopy 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 页码: 7
作者:  Liu, J;  Neumann, R;  Trautmann, C;  Muller, C
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/05/31
光诱导纳米二氧化钛超亲水薄膜SPM图像分析和氧空位浓度理论探讨 期刊论文
2001
曾人杰; 林仲华; 方智敏
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26
Formation of the micro-defects in floating zone silicon and its influence on photoluminescence of porous silicon 期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 564-567
作者:  Li, CB;  Li, HX;  Guo, CH;  Zhang, H;  Xue, CS
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices 专利
专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:  TSONG, IGNATIUS S. T.;  SMITH, DAVID J.;  TORRES, VICTOR M.;  EDWARDS, JR., JOHN L.;  DOAK, R. BRUCE
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
On Brauer's problem 21 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/BF02877070, 2001
Zeng, JW; Zhang, JP; 曾吉文
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/22
Threading dislocations with edge components in GaN epilayers grown on Al2O3 substrates 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1557/JMR.2001.0349, 2001
Kang, J. Y.; Ogawa, T.; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12
Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating lecgaas 期刊论文
Rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191
作者:  Yang, RX;  Zhang, FQ;  Chen, NF
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12

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