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The global weak solution and relaxation limits of the initial-boundary value problem to the bipolar hydrodynamic model for semiconductors 期刊论文
MATHEMATICAL MODELS & METHODS IN APPLIED SCIENCES, 2000, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 1333-1361
作者:  Hsiao, L;  Zhang, KJ
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The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02
Unveiling deeply embedded sources by near-infrared polarimetric imaging 期刊论文
ASTROPHYSICAL JOURNAL, 2000, 卷号: 542, 期号: 1, 页码: 392-399
作者:  Yao, YQ;  Ishii, M;  Nagata, T;  Nakaya, H;  Sato, S
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Compact cores of molecular clouds in NGC 1333/IRAS 6-9 期刊论文
CHINESE ASTRONOMY AND ASTROPHYSICS, 2000, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 511-521
作者:  Sun, J;  Shen, JJ;  Zhang, YP;  Sun, JJ
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Time-resolved UV-vis spectroelectrochemical studies of the electron transfer process of cytochrome c 期刊论文
2000
Wu, LL; Huang, HG; Li, JX; Luo, J; Lin, ZH; 林仲华
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/06/20
CME's, filament eruptions, and sheared low-lying magnetic loops in multipolar magnetic configuration 期刊论文
SOLAR PHYSICS, 2000, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 121-130
作者:  Su, QR;  Su, M
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/02/01
Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well 专利
专利号: US6046464, 申请日期: 2000-04-04, 公开日期: 2000-04-04
作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK
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