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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The investigations on semi-insulating gaas by surface photovoltaic spectroscopy 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15-18 作者:  Chen, YB;  Jiang, DS;  Wang, RZ;  Zheng, HJ;  Sun, BQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface photovoltaic spectroscopy  Si-gaas  Nondetructive technique   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN   The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15-18 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 surface photovoltaic spectroscopy  SI-GaAs  nondetructive technique  UNDOPED SEMIINSULATING GAAS