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Influence of dual incorporation of in and n on the luminescence of gainnas/gaas single quantum wells 期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150
作者:  Sun, BQ;  Jiang, DS;  Pan, Z;  Li, LH;  Wu, RH
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Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443
作者:  Liu, FQ;  Ding, D;  Xu, B;  Zhang, YZ;  Zhang, QS
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High-performance strain-compensated ingaas/inalas quantum cascade lasers 期刊论文
Semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: L44-l46
作者:  Liu, FQ;  Zhang, YZ;  Zhang, QS;  Ding, D;  Xu, B
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In situ annealing treatment and in-doping of gan epilayers grown by movpe 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 页码: 356-361
作者:  Lu, DC;  Wang, CX;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Wang, XH
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The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of mbe-grown chlorine-doped znse epilayers 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553
作者:  Wang, SZ;  Xie, SW;  Pang, QJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
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