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A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Bandgap isolated light emitter 专利
专利号: US6064683, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication 专利
专利号: US6021146, 申请日期: 2000-02-01, 公开日期: 2000-02-01
作者:  JIANG, WENBIN;  LEBBY, MICHAEL S.;  RAMDANI, JAMAL
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Determination of boron in serum, plasma and urine by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS). Use of mannitol-ammonia as diluent and for eliminating memory effect 期刊论文
2000
Sun, DH; 孙道华; Ma, RL; McLeod, CW; Wang, XR; 王小如; Cox, AG
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Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers 专利
专利号: US6011810, 申请日期: 2000-01-04, 公开日期: 2000-01-04
作者:  HALLER, EUGENE E.;  BRUNDERMANN, ERIK
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铍环电子束焊接接头残余应力分析 Analysis of residual stresses in electron beam welded joint with beryllium ring 期刊论文
2000, 卷号: 29, 页码: 4-5
作者:  凌泽民[1];  周上祺[1]
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Preconcentration of trace elements in sea water with 8-hydroxyquinoline immobilized polyacrylonitrile hollow fiber membrane for determination by inductively coupled plasma-mass spectrometry 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF ENVIRONMENTAL ANALYTICAL CHEMISTRY, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 95-109
作者:  Wen, B;  Shan, XQ;  Xu, SG
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Total cross section measurements with pi(-), Sigma(-) and protons on nuclei and nucleons around 600 GeV/c 期刊论文
NUCLEAR PHYSICS B, 2000, 卷号: 579, 期号: 1--2, 页码: 277-312
作者:  SELEX Collaboration
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A deep level transient spectroscopy study of beryllium implanted n-type 6H-SiC 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2000, 卷号: Vol.88 No.8, 页码: 4558-4562
作者:  Chen, XD;  Fung, S;  Beling, CD;  Gong, M;  Henkel, T
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