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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2000    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文 10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE