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定向凝固NiAl—28Cr—5.5Mo-0.5Hf合金中Ni_2AlHf相和Ni_(16)Hf_6Si_7相的研究 期刊论文
金属学报, 1999, 期号: 11, 页码: 0-0+0-0
陈玉喜,崔传勇,刘志权,刘志权,贺连龙,郭建亭,李斗星
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/04/12
一种高强度、高稳定性铸铁的研究及应用 期刊论文
光学精密工程, 1999, 期号: 04, 页码: 111-118
刘殿双; 黄述哲; 张艳鸿
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/03/11
Bond-responsive relaxation model: a microscopic property of a si(111)-7 x 7 surface responding to the desorption of single adatoms 期刊论文
Surface science, 1999, 卷号: 436, 期号: 1-3, 页码: L729-l734
作者:  Zhao, YF;  Pang, SJ;  Liu, SD;  Xie, SS
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/09
半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1999186646A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者:  宮永 良子;  上山 智;  吉井 重雄;  佐々井 洋一
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体素子 专利
专利号: JP1999177140A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02
作者:  千代 敏明;  柴田 直樹;  伊藤 潤;  野杁 静代
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2945568B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06
作者:  細羽 弘之
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
The effects of carbonized buffer layer on the growth of sic on si 期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 564-567
作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Zhang, FF;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12
半導体の製造方法及びその製造装置 专利
专利号: JP1999074199A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:  西川 孝司;  北畠 真;  佐々井 洋一
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Growth mode and strain relaxation of inas on inp (111)a grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 10, 页码: 1388-1390
作者:  Li, HX;  Daniels-Race, T;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2875440B2, 申请日期: 1999-01-14, 公开日期: 1999-03-31
作者:  細羽 弘之;  ▲吉▼田 智彦;  兼岩 進治;  松本 晃広
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