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Semiconductor laser and method for fabricating the same 专利
专利号: US5850410, 申请日期: 1998-12-15, 公开日期: 1998-12-15
作者:  KURAMATA, AKITO
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Laser-diode-pumped solid-state laser 专利
专利号: US5832015, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:  GOTO, CHIAKI;  MATUMOTO, KENJI
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2841599B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-12-24
作者:  堀田 等
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Process for producing a resonator in a semiconductor laser device 专利
专利号: US5825789, 申请日期: 1998-10-20, 公开日期: 1998-10-20
作者:  WATANABE, YOSHIAKI;  MIYAGUCHI, SATOSHI;  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU
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発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2834757B2, 申请日期: 1998-10-02, 公开日期: 1998-12-14
作者:  明利 敏巳
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Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods 专利
专利号: US5807764, 申请日期: 1998-09-15, 公开日期: 1998-09-15
作者:  RICE, ROBERT R.;  RUGGIERI, NEIL F.;  SHANLEY, JAMES F.
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Laser 专利
专利号: US5805625, 申请日期: 1998-09-08, 公开日期: 1998-09-08
作者:  LANGNER, WALTER;  DEUTSCHER, WOLFGANG
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザーの製造方法 专利
专利号: JP2822195B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-11
作者:  成井 啓修;  大畑 豊治;  森 芳文
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:  池田 昌夫;  森田 悦男
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The dependence of growth rate of gan buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27
作者:  Liu, XL;  Lu, DC;  Wang, LS;  Wang, XH;  Wang, D
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