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物理研究所 [1]
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内容类型
期刊论文 [20]
会议论文 [10]
专利 [4]
发表日期
1998 [34]
学科主题
半导体材料 [8]
半导体物理 [3]
光电子学 [2]
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发表日期:1998
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Electro-optical transmission assembly
专利
专利号: EP0873534A2, 申请日期: 1998-10-28, 公开日期: 1998-10-28
作者:
KROPP, JÖRG-REINHARDT
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
Properties of gan epilayers with various growth conditions grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1-2, 页码: 34-38
作者:
Li, XB
;
Sun, DZ
;
Zhang, JP
;
Zhu, SR
;
Kong, MY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductor structures having electrically insulating and conducting portions formed from an AlSb-alloy layer
专利
专利号: US5726462, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
作者:
SPAHN, OLGA B.
;
LEAR, KEVIN L.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
Rapid thermal annealing processing of gan epilayer on sapphire(0 0 0 1)
期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 298-301
作者:
Li, XB
;
Sun, DZ
;
Kong, MY
;
Yoon, SF
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
作者:
Li, XB
;
Sun, DZ
;
Zhang, JP
;
Kong, MY
;
Yoon, SF
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Extended wavelength strained layer lasers having short period superlattices
专利
专利号: US5719895, 申请日期: 1998-02-17, 公开日期: 1998-02-17
作者:
JEWELL, JACK L.
;
TEMKIN, HENRYK
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
Extended wavelength strained layer lasers having nitrogen disposed therein
专利
专利号: US5719894, 申请日期: 1998-02-17, 公开日期: 1998-02-17
作者:
JEWELL, JACK L.
;
TEMKIN, HENRYK
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Wurtzite gan epitaxial growth on a si(001) substrate using gamma-al2o3 as an intermediate layer
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111
作者:
Wang, LS
;
Liu, XL
;
Zan, YD
;
Wang, J
;
Wang, D
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Blue upconversion emission from Tm3+ ion doped into glass ceramics under infrared light (1.06 mu m) excitation
会议论文
1998
Xu W.
;
Huang S. H.
;
Kong X. G.
;
Qin W. P.
;
Chen B. J.
;
Liu J. Y.
;
Li D.
;
Lu S. Z.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/28
Dependence of photoluminescence induced by carbon contamination on GeSi structure
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 187, 期号: 2, 页码: 197
Guo, LW
;
Shi, JJ
;
Cheng, WQ
;
Li, YK
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/09/17
SILICON
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