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面発光素子 专利
专利号: JP1994350191A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22
作者:  沼居 貴陽
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不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为 期刊论文
1994
王仁智; 柯三黄; 黄美纯
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面発光素子 专利
专利号: JP1994326409A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25
作者:  沼居 貴陽
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半導体結晶の製造方法 专利
专利号: JP1994080860B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者:  岩田 直高
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用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究 期刊论文
1994
王仁智; 柯三黄; 郑永梅; 黄美纯
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2011/06/24
半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1994071117B2, 申请日期: 1994-09-07, 公开日期: 1994-09-07
作者:  塚田 紀昭;  徳田 安紀;  藤原 賢三
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体面発光レーザの製造方法 专利
专利号: JP1994112578A, 申请日期: 1994-04-22, 公开日期: 1994-04-22
作者:  栗原 香;  浜尾 昇;  杉本 満則
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VALENCE-BAND OFFSETS AND BAND TAILORING IN COMPOUND STRAINED-LAYER SUPERLATTICES 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.10495, 1994
Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994045683A, 申请日期: 1994-02-18, 公开日期: 1994-02-18
作者:  菅 康夫;  細田 昌宏;  ▲高▼橋 向星;  角田 篤男;  谷 健太郎
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面発光半導体レーザ 专利
专利号: JP1994029611A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
作者:  杉本 満則
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