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| Manufacture of surface-emission semiconductor laser 专利
专利号: JP1991274783A, 申请日期: 1991-12-05, 公开日期: 1991-12-05
作者: IGA KENICHI; ISHIKAWA TORU; IBARAKI AKIRA; FURUSAWA KOTARO
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| Growth of semi-insulating indium phosphide by liquid phase epitaxy 专利
专利号: EP0344904A3, 申请日期: 1991-11-13, 公开日期: 1991-11-13
作者: KNIGHT, DOUGLAS GORDON; BENYON, WILLIAM
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| Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1991222487A, 申请日期: 1991-10-01, 公开日期: 1991-10-01
作者: SHIOMOTO TAKEHIRO
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| Semiconductor crystal growing method 专利
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者: HORIE KAYOKO; OTSUKA TAKEO; AKIYAMA NAOKI
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| Manufacture of quantum thin wire or quantum box 专利
专利号: JP1991184380A, 申请日期: 1991-08-12, 公开日期: 1991-08-12
作者: MURAKAMI HIDEKAZU; ETO HIROYUKI; NAKAGAWA KIYOKAZU; NAKAMURA NOBUO; OSHIMA TAKU
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| Manufacture of ridge laser 专利
专利号: JP1991165086A, 申请日期: 1991-07-17, 公开日期: 1991-07-17
作者: ONOUCHI TOSHIHIKO; NOJIRI HIDEAKI
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| Method for making low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US5028563, 申请日期: 1991-07-02, 公开日期: 1991-07-02
作者: FEIT, ZEEV; KOSTYK, DOUGLAS; WOODS, ROBERT J.
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1991125489A, 申请日期: 1991-05-28, 公开日期: 1991-05-28
作者: ONOUCHI TOSHIHIKO; NOJIRI HIDEAKI
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| Buried heterostructure semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1991119777A, 申请日期: 1991-05-22, 公开日期: 1991-05-22
作者: NOJIRI HIDEAKI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991114283A, 申请日期: 1991-05-15, 公开日期: 1991-05-15
作者: TAMURA HIDEO; YAMAMOTO MOTOYUKI
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