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Buried waveguide window regions for improved performance semiconductor lasers and other opto-electronic applications 专利
专利号: US4875216, 申请日期: 1989-10-17, 公开日期: 1989-10-17
作者:  THORNTON, ROBERT L.;  BURNHAM, ROBERT D.
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FOURIER-TRANSFORM INFRARED-SPECTROSCOPY OF ATACTIC POLYSTYRENE IN THE GLASS-TRANSITION REGION 期刊论文
MAKROMOLEKULARE CHEMIE-MACROMOLECULAR CHEMISTRY AND PHYSICS, 1989, 卷号: 190, 期号: 10, 页码: 2563-2570
作者:  MAGONOV, SN;  SHEN, DY;  QIAN, RY
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989227485A, 申请日期: 1989-09-11, 公开日期: 1989-09-11
作者:  HATTORI AKIRA
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
THE ELECTRONIC-STRUCTURE OF A RARE-EARTH LUMINESCENT CENTER IN ALKALINE-EARTH SULFIDES 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/1/31/003, 1989
QI, ZQ; WEI, P; CHUN, HM; GUANG, HX; 潘伟
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Semiconductor-laser driving apparatus 专利
专利号: JP1989189184A, 申请日期: 1989-07-28, 公开日期: 1989-07-28
作者:  HIRAMATSU MAKOTO;  YAMADA ETSUO
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Semiconductor laser element and its manufacture 专利
专利号: JP1989173685A, 申请日期: 1989-07-10, 公开日期: 1989-07-10
作者:  EGUCHI KAZUHIRO
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
Window laser with high power reduced divergence output 专利
专利号: US4845725, 申请日期: 1989-07-04, 公开日期: 1989-07-04
作者:  WELCH, DAVID F.;  SCIFRES, DONALD R.
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TRANSPORT-PROPERTIES AND PHASE-TRANSITION OF ORGANIC-CRYSTAL BETA-D'-(BEDT-TTF)2I3 期刊论文
SYNTHETIC METALS, 1989, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 37-43
作者:  LU, L;  MA, BH;  DUAN, HM;  LIN, SY;  ZHANG, DL
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Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1989074783A, 申请日期: 1989-03-20, 公开日期: 1989-03-20
作者:  KIHARA KATSUHIRO;  OGITA SHOICHI
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- 专利
专利号: JP1989014716B2, 申请日期: 1989-03-14, 公开日期: 1989-03-14
作者:  KOBAYASHI KEISUKE;  NAKAJIMA HISAO
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