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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1985223185A, 申请日期: 1985-11-07, 公开日期: 1985-11-07 作者:  SUZUKI TOORU 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid-phase epitaxial growth method 专利 专利号: JP1985198719A, 申请日期: 1985-10-08, 公开日期: 1985-10-08 作者:  YOSHITOSHI KEIICHI;  NISHIMURA TAKAYUKI;  AOME YOSHIO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985130882A, 申请日期: 1985-07-12, 公开日期: 1985-07-12 作者:  MURAKAMI TAKASHI;  TANAKA TOSHIO;  KUME ICHIROU 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985130881A, 申请日期: 1985-07-12, 公开日期: 1985-07-12 作者:  MURAKAMI TAKASHI 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Optical semiconductor device and manufacture thereof 专利 专利号: JP1985079793A, 申请日期: 1985-05-07, 公开日期: 1985-05-07 作者:  SUZAKI SHINZOU 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利 专利号: JP1985028291A, 申请日期: 1985-02-13, 公开日期: 1985-02-13 作者:  FUJIWARA KENZOU;  NUNOSHITA MASAHIRO 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 STUDIES ON DEFECT OF Ni ELECTRODEPOSITS MEANS OF POSITRON ANNIHILATION LIFETIME SPECTROSCOPY 期刊论文 1985 Zhong,CX; Fang,JL; Chen,RQ; Zhou,SM; Chen,BY; Yao,SB; 周绍民 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THE HYDROGEN-RELATED DEFECT-IMPURITY COMPLEXES IN C-SI GROWN IN H-2 ATMOSPHERE 期刊论文 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 1985, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 221-227 SHI,TS; BAI,GR; QI,MW; XIE,LM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25 从土貌演变探讨泥石流发育的阶段性 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 1985 作者:  崔鹏 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2012/11/19