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UN DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR 专利
专利号: ES497606A0, 申请日期: 1981-12-16, 公开日期: 1981-12-16
作者:  -
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Manufacture of injection type laser 专利
专利号: JP1981158496A, 申请日期: 1981-12-07, 公开日期: 1981-12-07
作者:  SUZAKI WATARU;  MUROTANI TOSHIO;  OOMURA ETSUJI;  ISHII JIYUN
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- 专利
专利号: JP1981040512B2, 申请日期: 1981-09-21, 公开日期: 1981-09-21
作者:  -
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1981091490A, 申请日期: 1981-07-24, 公开日期: 1981-07-24
作者:  YAMAMOTO SABUROU;  YANO MORICHIKA;  KURATA YUKIO;  MATSUI KANEKI;  HAYAKAWA TOSHIROU
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1981081993A, 申请日期: 1981-07-04, 公开日期: 1981-07-04
作者:  UMEDA JIYUNICHI;  KASHIMURA TAKASHI;  KURODA IKUROU;  YAMASHITA SHIGEO
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1981074980A, 申请日期: 1981-06-20, 公开日期: 1981-06-20
作者:  OOMURA ETSUJI;  TANAKA TOSHIO
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- 专利
专利号: JP1981025774B2, 申请日期: 1981-06-15, 公开日期: 1981-06-15
作者:  
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1981049587A, 申请日期: 1981-05-06, 公开日期: 1981-05-06
作者:  HIRAO MOTONAO;  NAKAMURA MICHIHARU;  DOI KOUNEN;  TSUJI SHINJI;  TAKEDA YUTAKA
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Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy 专利
专利号: US4261771, 申请日期: 1981-04-14, 公开日期: 1981-04-14
作者:  DINGLE, RAYMOND;  GOSSARD, ARTHUR C.;  PETROFF, PIERRE M.;  WIEGMANN, WILLIAM
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Process for producing epitaxial semiconductor material layers on monocrystalline substrates via liquid phase shift epitaxy 专利
专利号: US4261770, 申请日期: 1981-04-14, 公开日期: 1981-04-14
作者:  SPLITTGERBER, HEINZ;  ZSCHAUER, KARL-HEINZ;  ENDLER, WOLFGANG
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