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Simultaneous detection of trace Ag(I) and Cu(II) ions using homoepitaxially grown GaN micropillar electrode
期刊论文
ANALYTICA CHIMICA ACTA, 2020, 卷号: 1100, 页码: 22-30
作者:
Liu, Qingyun
;
Li, Jing
;
Yang, Wenjin
;
Zhang, Xinglai
;
Zhang, Cai
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/02/02
GaN micropillar arrays
Homoepitaxial growth
Electrochemistry
Metal ion detection
Boron-doped diamond thin films homoepitaxial growth and preparation of Schottky barrier diode
期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2016, 卷号: 36
作者:
Wang, Jinjun
;
Wang, Xiaoliang
;
Zhang, Jingwen
;
Wang, Xia
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/26
Conduction resistance
Diamond thin film
Electron beam evaporation
High temperature and high pressure
Homoepitaxial growth
Microwave plasma chemical vapor depositions
Reverse breakdown voltage
Reverse-saturation currents
Growth of alpha-axis ZnO films on the defective substrate with different O/Zn ratios: A reactive force field based molecular dynamics study
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 628, 页码: 317-324
L.
;
Shahzad Liu, M. B.
;
Qi, Y.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/05/08
Zinc oxide
Non-polar thin films
Atomic scale structure
Point defects
Molecular dynamics simulations
atomic layer deposition
beam epitaxy
thin-films
zinc-oxide
plane
sapphire
homoepitaxial growth
optical-properties
temperature
orientation
nanogenerators
4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究
期刊论文
2015, 页码: 191-193
作者:
毛开礼
;
王英民
;
李斌
;
赵高扬
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
同质外延 氯化氢 快速外延 Homoepitaxial HCl Fast growth rate
A simple method to eliminate the surface defects of diamond particles
期刊论文
POWDER TECHNOLOGY, 2014, 卷号: 266, 页码: 299-302
作者:
Teng, F
;
Bao, Z
;
Zhang, P
;
Zhang, GZ
;
Gong, CS
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
Crystal growth
Diamond particles
HFCVD
Single crystal homoepitaxial
Zinc sulfide nanowire arrays on silicon wafers for field emitters
期刊论文
Nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 6
Z. G. Chen
;
L. Cheng
;
J. Zou
;
X. D. Yao
;
G. Q. Lu
;
H. M. Cheng
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/13
emission properties
zns nanowire
homoepitaxial growth
nanostructures
cathodoluminescence
nanobelts
nanotube
First-principles study of Sb adsorption on Ag(110)(2 x 2)
期刊论文
Chemical Physics, 2006, 卷号: 326, 期号: 2-3, 页码: 583-588
J. L. Nie
;
H. Y. Xiao
;
X. T. Zu
;
F. Gao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/04/14
density functional theory
silver
antimony
substitutional
energy-electron-diffraction
by-layer growth
homoepitaxial growth
ion-scattering
surface
ag(111)
ag
diffusion
cu(111)
pseudopotentials
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:101/29
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提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940
作者:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵万顺
;
王雷
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
碳化硅
化学气相沉积
原子力显微镜
Raman
光致发光
Cold wall chemical vapor deposition
Epilayer
Homoepitaxial growth
Nomarski microscopy
A first-principles study of Group IV dimer chains on Si(100)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: -
作者:
Chan, TL
;
Wang, CZ
;
Lu, ZY
;
Ho, KM
;
Chan, TL , Iowa State Univ, Ames Lab, US DOE, Ames, IA 50011 USA.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/08/30
Scanning-tunneling-microscopy
Si Ad-dimers
Homoepitaxial Growth
Surface-diffusion
Room-temperature
Si(001) Surface
Electron-gas
Pb
Nucleation
Dynamics
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