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质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 182-189
作者:
傅婧1,2,3
;
蔡毓龙4
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/03/17
CMOS图像传感器
质子辐照
单粒子效应
瞬态亮斑
基于前向光散射的水体悬浮颗粒物粒度双CMOS测量技术研究
期刊论文
光学技术, 2022, 卷号: 48
作者:
漆艳菊
;
赵南京
;
张小玲
;
殷高方
;
石朝毅
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提交时间:2023/11/10
particle size measurement
Mie scattering theory
CMOS image sensor
image processing
粒度测量
Mie散射理论
CMOS图像传感器
图像处理
CIS单粒子效应机理及模拟试验方法
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
蔡毓龙
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/08/27
CMOS图像传感器
单粒子效应
空间辐射效应
Geant4
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
卷帘快门式CMOS探测器的星图像移补偿
期刊论文
中国光学, 2020, 卷号: 13, 期号: 06, 页码: 1276-1284
作者:
张博研
;
孔德柱
;
刘金国
;
武星星
;
董得义
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2021/07/06
CMOS图像传感器
卷帘快门
星图
星点提取
星点匹配
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应
期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188
作者:
蔡毓龙1,2,3
;
李豫东1,3
;
文林1,3
;
冯婕3,1
;
郭旗3,1
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/12/04
CMOS图像传感器
单粒子效应
累积辐射效应
质子
CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理
期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 101-107
作者:
冯婕
;
李豫东
;
文林
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/06/23
星敏感器
CMOS图像传感器
辐射损伤
性能退化
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
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