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| 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵
  收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/11/18
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| 辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制 学位论文
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者: 罗捷
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2018/12/28
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| 隧穿场效应晶体管结构优化及非易失性SRAM性能研究 学位论文
2018
作者: 张文豪
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26
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| PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究 期刊论文
电子与信息学报, 2017, 卷号: 第39卷, 页码: 2755-2762
作者: 张景波; 吴秀龙; 丁朋辉; 彭春雨; 杨志平
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/17
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 郑齐文
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2015/06/15
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| 静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者: 郑齐文
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2015/06/15
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| 基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者: 刘丽
收藏 | 浏览/下载：213/0 | 提交时间：2015/09/02
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