电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

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	电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响
	姬庆刚 ; 刘杰 ; 李东青 ; 刘天奇 ; 叶兵 ; 赵培雄 ; 孙友梅 ; 陆妩 ; 郑齐文
刊名	原子核物理评论
	2019
卷号	36 期号:3 页码:367-372
关键词	单粒子翻转总剂量效应协同效应静态随机存储器
ISSN号	1007-4627
英文摘要	电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到“印记效应”,数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。
CSCD记录号	CSCD:6604472
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7139]
专题	固体辐射物理研究室
作者单位	1.中国科学院新疆理化技术研究所 2.中国科学院大学核科学与技术学院 3.中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姬庆刚,刘杰,李东青,等. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论,2019,36(3):367-372.
APA	姬庆刚.,刘杰.,李东青.,刘天奇.,叶兵.,...&郑齐文.(2019).电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响.原子核物理评论,36(3),367-372.
MLA	姬庆刚,et al."电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响".原子核物理评论 36.3(2019):367-372.