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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量   4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析 期刊论文 光学学报, 2018, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 22-27 作者:  徐守龙;  邹树梁;  黄有骏;  匡雅;  郭赞 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/27 探测器  互补金属氧化物半导体有源像素传感器  光子辐射响应  钳位光电二极管   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/09/27 Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固