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Semiconductor laser and method for producing the same 专利
专利号: US20050220157A1, 申请日期: 2005-10-06, 公开日期: 2005-10-06
作者:  NAKAMURA, RYO;  WATANABE, YASUHIRO;  TOMITA, KAZUYOSHI
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Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it 专利
专利号: WO2002080243A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
作者:  NAGAI, SEIJI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KODAMA, MASAHITO
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Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利
专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU
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Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same 专利
专利号: US5604761, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18
作者:  SEKI, AKINORI;  OHNISHI, TOYOKAZU;  NAKANO, JIRO;  SUGIYAMA, TAKAHIDE;  TOMITA, KAZUYOSHI
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Semiconductor device 专利
专利号: JP1990215169A, 申请日期: 1990-08-28, 公开日期: 1990-08-28
作者:  TOMITA KAZUYOSHI;  HASHIMOTO MASAFUMI
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Single hetero structure semiconductor laser diode 专利
专利号: JP1989015993A, 申请日期: 1989-01-19, 公开日期: 1989-01-19
作者:  TOMITA KAZUYOSHI;  KITAGAWA FUMITAKA;  HASHIMOTO MASAFUMI
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Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, and group-III nitride compound semiconductor device 专利
专利号: US20040219702A1, 公开日期: 2004-11-04
作者:  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI
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