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Reversing abnormal hole localization in high-Al-content AlGaN quantum well to enhance deep ultraviolet emission by regulating the orbital state coupling
期刊论文
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2020, 卷号: 9, 期号: 1
作者:
Chen, Li
;
Lin, Wei
;
Wang, Huiqiong
;
Li, Jinchai
;
Kang, Junyong
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浏览/下载：40/0
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提交时间：2020/12/16
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
EXCHANGE
Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 6
作者:
He, Jiawei
;
Li, Guoli
;
Lv, Yawei
;
Wang, Chunlan
;
Liu, Chuansheng
收藏
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浏览/下载：28/0
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提交时间：2019/12/05
amorphous oxide semiconductor
bilayer stack
defect self-compensation
high mobility
thin-film transistor
Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 6
作者:
He, Jiawei
;
Li, Guoli
;
Lv, Yawei
;
Wang, Chunlan
;
Liu, Chuansheng
收藏
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2019/12/05
Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors With Enhanced Performance
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 1018-1022
作者:
Wan, Da
;
Liu, Xingqiang
;
Abliz, Ablat
;
Liu, Chuansheng
;
Yang, Yanbing
收藏
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浏览/下载：5/0
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提交时间：2019/11/21
tungsten (W)-doping
pulsed current-voltage (I-V)
solution processed
Indium zinc oxide (IZO)
thin-film transistors (TFTs)
Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors with Enhanced Performance
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 期号: 3
作者:
Wan, Da
;
Liu, Xingqiang
;
Abliz, Ablat
;
Liu, Chuansheng
;
Yang, Yanbing
收藏
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浏览/下载：11/0
|
提交时间：2019/12/05
Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors With Enhanced Performance
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 3
作者:
Wan, Da
;
Liu, Xingqiang
;
Abliz, Ablat
;
Liu, Chuansheng
;
Yang, Yanbing
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2019/12/05
Indium zinc oxide (IZO)
pulsed current-voltage (I-V)
solution processed
thin-film transistors (TFTs)
tungsten (W)-doping
Effects of Nitrogen and Hydrogen Codoping on the Electrical Performance and Reliability of InGaZnO Thin -Film Transistors
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 页码: 10798-10804
作者:
Abliz, Ablat
;
Gao, Qingguo
;
Wan, Da
收藏
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2019/11/21
thin-film transistors
reliability
low-frequncy noise
plasma treatment
InGaZnO
Effects of Nitrogen and Hydrogen Codoping on the Electrical Performance and Reliability of InGaZnO Thin -Film Transistors
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 12
作者:
Abliz, Ablat
;
Gao, Qingguo
;
Wan, Da
;
Liu, Xingqiang
;
Xu, Lei
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2019/12/05
thin-film transistors
InGaZnO
low-frequncy noise
plasma treatment
reliability
Effects of Nitrogen and Hydrogen Codoping on the Electrical Performance and Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors
期刊论文
ACS Applied Materials and Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 12
作者:
Li, Xuefei
;
Chen, Huipeng
;
Xu, Lei
;
Liu, Xingqiang
;
Wan, Da
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2019/12/05
Rational Design of ZnO:H/ZnO Bilayer Structure for High-Performance Thin-Film Transistors
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 页码: 7862-7868
作者:
Abliz, Ablat
;
Huang, Chun-Wei
;
Wang, Jingli
;
Xu, Lei
;
Liao, Lei
收藏
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浏览/下载：5/0
|
提交时间：2019/11/21
bilayer structure
thin-film transistors
ZnO
hydrogenation
mobility
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