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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 p-Type Conversion of ZnO Thin Films by Plasma Immersion Ion Implantation 期刊论文 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2009, 卷号: 12, 页码: H329-H332 作者:  Zhang, Shuyu;  Liang, Rongqing;  Ou, Qiongrong;  Wu, Xiaojing;  Jiang, Meifu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/31 aluminium  annealing  doping profiles  electrical resistivity  hole density  hole mobility  II-VI semiconductors  nitrogen  plasma immersion ion implantation  semiconductor doping  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds