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Advantages of GeTeN material for phase change memory applications 期刊论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 卷号: 358, 期号: 17, 页码: 2416-2419
Peng, C; Wu, LC; song, zt(重点实验室）; Zhou, XL; Zhu, M; Rao, F; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
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Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 122101
Zhu, M; Wu, LC; song, zt(重点实验室）; Rao, F; Cai, DL; Peng, C; Zhou, XL; Ren, K; Song, SN; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10
An 8-Mb Phase-Change Random Access Memory Chip Based on a Resistor-on-Via-Stacked-Plug Storage Cell 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 1270-1272
Cai, DL; Chen, HP; Wang, Q; Chen, YF; song, zt(重点实验室）; Wu, GP; Feng, SL(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/10
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X; Liu, B(重点实验室）; Peng, C; Rao, F; Zhou, XL; Song, SN; Wang, LY; Cheng, Y; Wu, LC; Yao, DN; song, zt(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10
Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 5, 页码: 52105
Ren, K; Rao, F; song, zt(重点实验室）; Lv, SL; Cheng, Y; Wu, LC; Peng, C; Zhou, XL; Xia, MJ; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
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Design of Side Bottom-Electrode-Contact for High Density Phase-Change Memory Array 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 7939-7943
Liu, Y; song, zt(重点实验室）; Liu, B(重点实验室）; Xu, J; Chen, HP; Zhang, C; Wu, GP; Feng, SL(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/05/10
Investigation of changes in band gap and density of localized states on phase transition for Ge2Sb2Te5 and Si3.5Sb2Te3 materials 期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2012, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 323-328
Rao, F; song, zt(重点实验室）; Cheng, Y; Xia, MJ; Ren, K; Wu, LC; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10
An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38104
Zhang, C; song, zt(重点实验室）; Wu, GP; Liu, B(重点实验室）; Wang, LH; Xu, J; Liu, Y; Wang, L; Yang, ZY; Feng, SL(重点实验室）
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SixSb2Te materials with stable phase for phase change random access memory applications 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 5, 页码: 54319
Gu, YF; Song, SN; song, zt(重点实验室）; Cheng, Y; Du, XF; Liu, B(重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）
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Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1192-1194
Liu, Y; song, zt(重点实验室）; Liu, B(重点实验室）; Wu, GP; Chen, HP; Zhang, C; Wang, LH; Feng, SL(重点实验室）
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