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リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2006086218A, 申请日期: 2006-03-30, 公开日期: 2006-03-30
作者:  大櫃 義徳;  橋本 隆宏;  辻井 宏行;  喜根井 聡文;  大島 昇
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3676965B2, 申请日期: 2005-05-13, 公开日期: 2005-07-27
作者:  大櫃 義徳;  宮嵜 啓介;  藤井 良久
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化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999087766A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  大櫃 義徳
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