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近15年北部湾西部近岸大气湿沉降中无机氮的研究 期刊论文
2018, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 69
作者:  陈法锦[1];  劳齐斌[1];  李志阳[2];  周凤霞[1];  沈春燕[1]
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侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2011, 期号: 03
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢
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InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
作者:  劳燕锋;  曹春芳;  吴惠桢;  刘成;  曹萌
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AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用 期刊论文
半导体光电, 2009, 期号: 05
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢
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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
物理学报, 2009, 期号: 03
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 龚谦
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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集, 2008-12
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
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用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101295753, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超
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用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利
专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
作者:  谢正生;  吴惠桢;  劳燕锋;  刘成;  曹萌
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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: S1
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
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