基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

	基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器
	劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 刘成 ; 谢正生
刊名	半导体技术
	2008
期号	S1
关键词	隐形结构超材料坐标变换 Maxwell方程组
ISSN号	1003-353X
中文摘要	以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75mA,最高连续工作温度达
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51493]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器[J]. 半导体技术,2008(S1).
APA	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,曹萌,刘成,&谢正生.(2008).基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器.半导体技术(S1).
MLA	劳燕锋,et al."基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器".半导体技术 .S1(2008).