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Lijiang 2.4-meter Telescope and its instruments
期刊论文
RESEARCH IN ASTRONOMY AND ASTROPHYSICS, 2019, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 14
作者:
Wang CJ(王传军)
;
Bai JM(白金明)
;
Fan YF(范玉峰)
;
Mao JR(毛基荣)
;
Chang L(常亮)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2020/03/02
telescopes: Lijiang 2.4-m Telescope
instrumentation: photometers
instrumentation: spectrographs
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:
Xie, Ruiliang
;
Yang, Xu
;
Xu, Guangzhao
;
Wei, Jin
;
Wang, Yuru
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/11/19
Analytical approach
GaN HEMTs
Junction capacitances
Physical behaviors
Schottky junctions
Switching transient
Terminal measurements
Threshold-voltage instabilities
A fast IGBT model considering the dynamic performance of both IGBT and antiparallel diode
会议论文
作者:
Zhang, Feng
;
Yang, Xu
;
Xue, Wei
;
Xie, Ruiliang
;
Li, Yang
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/19
IGBT
power electronics
Thevenin equivalent
fixed topology modelling
Modeling the Gate Driver IC for GaN Transistor: A Black-Box Approach
会议论文
作者:
Xie, Ruiliang
;
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Tang, Gaofei
;
Wei, Jin
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/11/26
gate driver IC
modeling
black-box approach
GaN transistor
A fixed topology Thevenin equivalent integral model for modular multilevel converters
期刊论文
INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENERGY SYSTEMS, 2018, 卷号: 28
作者:
Zhang, Feng
;
Yang, Xu
;
Huang, Lang
;
Wang, Kangping
;
Xu, Guangzhao
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
stability
electromagnetic transients (EMT)
power electronics
Thevenin equivalent
modular multilevel converter (MMC)
The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs
会议论文
作者:
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Xie, Ruiliang
;
Zhang, Feng
;
Wang, Naizeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/26
On Quantifying Local Geometric Structures of Fiber Tracts
会议论文
MEDICAL IMAGE COMPUTING AND COMPUTER ASSISTED INTERVENTION, PT III, 2018-01-01
作者:
Cheng, Jian
;
Liu, Tao
;
Shi, Feng
;
Bai, Ruiliang
;
Zhang, Jicong
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/30
用于铝锭连续铸造生产线双摇杆接锭机构
专利
申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:
史新
;
郭俊锋
;
沈浩
;
冯瑞成
;
罗德春
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/11/11
Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit
会议论文
作者:
Xie, Ruiliang
;
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Wang, Hanxing
;
Tian, Mofan
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/26
Analysis approach
Dynamic behaviors
Gallium Nitride (GaN)
Gan transistors
Intrinsic capacitance
Static measurements
Switching transient
Threshold-voltage instabilities
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
会议论文
作者:
Xie, Ruiliang
;
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Wang, Hanxing
;
Tian, Mofan
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/26
switching transient analysis
p-GaN gate
phase-leg circuit
normally-off GaN transistor
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