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	The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs
	Xu, Guangzhao; Yang, Xu; Xie, Ruiliang; Zhang, Feng; Wang, Naizeng; Tian, Mofan; Jia, Haiyang; Wang, Laili
	2018
页码	909-912
会议录	THIRTY-THIRD ANNUAL IEEE APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC 2018)
URL标识	查看原文
ISSN号	1048-2334
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2918223
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu, Guangzhao,Yang, Xu,Xie, Ruiliang,et al. The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs[C]. 见:.

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