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大连理工大学 [1]
化学研究所 [1]
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期刊论文 [2]
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2019 [1]
2017 [1]
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Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8
作者:
Huang, Huolin
;
Li, Feiyu
;
Sun, Zhonghao
;
Sun, Nan
;
Zhang, Feng
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提交时间:2019/12/02
vertical field-effect transistor (VFET)
back current blocking layer (BCBL)
gallium nitride (GaN)
normally off power devices
Oriented Covalent Organic Framework Film on Graphene for Robust Ambipolar Vertical Organic Field-Effect Transistor
期刊论文
CHEMISTRY OF MATERIALS, 2017, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4367-4374
作者:
Sun, Bing
;
Zhu, Chen-Hui
;
Liu, Yi
;
Wang, Cheng
;
Wan, Li-Jun
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提交时间:2018/04/10
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